열분석은 ICTAC(International Confederation for Thermal Analysis and Calorimetry)에 따르면 시료를 미리 설정된 온도 변화 프로그램에 따라 온도를 변화시켜 시료의 물리적 성질을 온도 또는 시간의 함수로 측정하는 것으로 정의되어 있다.1) 즉, 열분석에 대한 넓은 범위에 서 본다면 전기 전도성 및 유전체 등의 다양한 전기적 성 질과 자화율 등의 자기적 성질 또는 분말 X선 회절 패턴 과 분광 스펙트럼 등을 온도의 함수로 측정한다면，이러 한분석도 모두 열분석이라고 할 수 있을 것이다. 이러한 많은열분 석중에서도온도변화에따른시료의흡 열· 발 열을 측정하는 시차열분석법(DTA) 및 시차주사열량법 (DSC), 온도 변화에 따른 시료의 질량 변화를 측정하는 열중량분석법(TG 또는 TGA), 온도 변화에 따른 시료의 길이 변화 등의 기계적 성질을 분석하는 열기계분석법 (TMA)은 전형적인 열분석법으로 이용되고 있다. (Table 1)²⁾ 이런 열분석법은 수 °C/min에서 수백 °C/min의 속 도로 연속적으로 온도를 변화시켜 측정하기 때문에 시료 에 발생하는 다양한 변화를 비교적 단시간에 확인할 수 있으며，시료의 열 안정성，상전이 거동，화학 반응 거동 등에 대하여 분석하는데 매우 유용하다.

DTA나 DSC는 온도 변화에 따라 시료에서 발생 또는 흡수하는 열을 분석하는 방법이다. DTA는 Fig. 1(a)와 같이 열적으로불활성인 기준물질(상전이나 열분해 등이 일어나지 않는 안정된 물질，주로 α-Al₂O₃)과 시료를 동 시에 가열 혹은 냉각하면서 둘 사이의 온도차를 측정한 다. 예를 들면 가열함에 따라 고체 시료가 용해 등의 상전 이를 일으키는 경우 Fig. 2와 같이 기준 물질과 시료의 온 도 신호들은 시료의 화학적인 반응이 있기 전까지 일정한 승온 속도로 가열하는 동안 평행하게 증가하게 되지만， 시료는 상전이에 따른 열 흡수로 인하여 온도 상승이 멈 추며，따라서 시료와 기준 물질 사이에는 온도차가 생기 게 된다. 상전이 이외도 다른 화학 반응이 발생하면 이에 따른 반응열에 의해 역시 온도차가 생기게 되며，이러한 온도 차이를 조사하여 시료의 녹는 온도와 상전이 온도， 반응온도 등을 정확하게 확인할수 있게 된다. 이러한 원 리로 시료와 기준 물질간의 온도 차이를 시간에 따라 나 타날 수 있지만，상용 기기의 경우 온도에 따른 흡 · 발열 차이를 나타내는 것이 일반적이며，또한 현재는 DTA 단 독 보다는 뒤에 설명하게 되는 TG의 동시 측정이 가능한 TG-DTA 장치가 널리 이용되고 있다.

DTA는 원리상 상전이 온도 및 반응 온도를 정확하게 확인하는 기기로는 뛰어나지만，그 때 발생하는 흡수 또 는 발열하는 열량에 대한 정량적인 데이터를 얻을 수는 없기 때문에 열량 측정은 DSC를 이용할 필요가 있다. DSC는 Fig. 1(b)와 (c)의 2가지 방식이 있다. Fig. 1(b) 입력보상형 DSC는 시료용 셀과 기준 물질용 셀에 각각 분리된 온도 조절 장치를 가지고 있으며，양자에 온도차 가 생기지 않도록 각각의 셀에 에너지를 줄 수 있게 되어 있어 측정 시 추가되는 에너지 차이로부터 시료에서 발생 하는 흡 · 발열 열량을 직접 측정하는 방식을 취하고 있 다. 이러한 입력보상형 DSC는 분리된 온도 조절 장치 덕 분에고속가열. 냉각이가능하여현재 750°C/min이가 능한 설비도 시판되고 있다. 한편，Fig. 1(c) 열유속형 DSC의 기본 구조는 DTA와 비슷하며，가열로를 가열 또 는 냉각하면서 시료용 셀과 기준 물질용 셀의 온도를 측 정한다. 열의 흐름은 곧바로 가열로로부터 시료와 기준 물질 부분의 센서로 흐르며 이때 저항열의 차이가 발생하 게 된다. 열 흐름에 따라움직이는 힘은 통과하는 저항열 에 따른 온도의 차이이며，시료에 대한 열 흐름은 이 두 흐름의 차이에 해당한다. 따라서 장치의 열전도율이 알려 진 경우 시료에 있어서 흡수 또는 발생하는 열량을 구할 수 있다. DTA는 시료의 열전도율의 영향을 받아 측정할 때마다 열전도율이 달라지는 것에 대해 온도센서를 시료 셀에 설치하는 것으로，열전도율을 장치 상수로 간주하도 록 되어 있기 때문에 열유속형 DSC를 정량 DTA라고 부 르는 경우도 있다. 열유속형 DSC는 흡 · 발열 등에 의해 시료와 기준 물질간의 온도 차이가 발생했을 때 온도 센 서에 의해 양쪽의 온도차 신호로부터 열량 변화 데이터를 환산하여 얻게 된다. 따라서 시료，열전도도，열용량 등 의 영향을 받게 되며 정확한 데이터를 얻기 위해서는 기 존의 상전이 열을 아는 물질로 미리 측정하여 장치 상수 의 교정을 실시할 필요가 있으며，온도 범위에 따라 여러 물질로 교정을 하는 것이 바람직하다. DSC 측정에 사용 되는 시료는 장치에 따라 달라수 mg ∼수 g 정도에서 측 정하는 것까지 다양한 상용 제품이 있지만，일반적으로는 수 mg 정도에서 10 mg 정도의 시료를 이용하는 장치가 많다. 또한 DSC와 분말 X 선 회절 장치를 조합함으로써 고상-고상 전이가 일어나는 열 거동을 DSC로 관측하면 서 동시에 결정 구조의 변화를 조사 장치³⁾ᄉ 및 현미경 관 찰을 실시하면서 DSC 측정을 할 수 있는 복합 장치 등 도 개발되고 있다.

DTA 또는 DSC에서 이상적인 1차상전이 온도는동일 물질마다 일정하게 나타나겠지만，DSC는 시료 온도가 아닌 시료 용 셀의 온도를 측정하고 있기 때문에 상전이 중에도 온도가 조금씩 상승하고 있는 것처럼 나타나며 상 전이가 완료되면 기준 물질 용 셀의 온도에 가까워지게 된다. 이 때문에 이상적인 1차상전이가 발생하면 그림 2 와 유사한 날카로운 흡열 피크가 관측되며 위에 언급한 측정 원리로 볼 때 전이 온도는 흡열 신호의 시작점으로 볼 수 있다. 그러나 실제 세라믹 시료의 경우，특히 고 상-고상 전이의 경우에는 응력이나 불순물 등에 의해 1 차 상전이의 전이 온도가 빨리 시작되어 넓은 폭의 피크 가 발생할 수 있으므로 주의가 필요하다. 이 경우에는 상 전이 온도를 흡열 신호의 시작점으로 할지，흡열 신호의 최대 피크 온도로 할지는 연구자가 개별적으로 판단 할 수밖에 없다. 또한 실험 조건에 의해 같은 시료에 대해서 도 cell의 종류，시료의 양 및 충진 방법，가열 속도，압력, 분위기 기체의 흐름 등에 따라 측정 결과에 차이가 생길 수 있다. 특히 시료의 양은 가열 속도와 관계가 있는데, 시료 내의 온도차이를 없애기 위해서는 시료의 양이 많을 수록 가열 속도를 느리게 조정할 필요가 있으며，같은 양 의 시료로 실험할 경우에도 가열 속도가 커질수록 특성 온도는 증가하게 된다.

피크의 면적으로부터 열량변화의 정량적인 정보를 얻 을 수도 있는데，이때 상전이가 없을 때의 baseline을 어 떻게 잡는 것인지가 측정 정확도에 관계한다. 상전이 전 후에 baseline의 기준점이 변화하지 않는 경우에는 단순 히 상전이 전후의 기준점을 직선으로 연결하면 되지만, 예를 들어 상전이 전후에 열용량이 변화하면 baseline이 어긋나기도 하기 때문에 주의가 필요하다. 이런 경우에는 적절하게 baseline을 긋는 방법도 제안되고 있으며，또한 최신의 측정 장치는 자동으로 그리는 기능을 가진 프로그 램이 탑재되어 있는 경우도 많다.

상전이는 잠열을 수반하는 1차 상전이와 잠열을 수반 하지 않는 2차 상전이 (또는 고차 상전이)가 있으며，그 때의 여러 가지 열역학적 양의 온도 변화의 모습이 Fig. 3에 나타나 있다. 1차 상전이는 깁스 에너지의 1차 미분 에서 불연속이 존재하는상전이이고，Fig. 3(a)에 나타낸 바와 같이 2개 상의 깁스 에너지가 상전이 점에서 교차하 여 일어나는 상전이로 나타나며，깁스 에너지가 상전이 점에서 교차하면서 2상이 함께 존재하는 상태가 출현하 는 것을 의미한다. 이 때 2상사이에 계면이 발생하며 냉 각 또는 가열시 평형 상전이 온도에서 상전이가 일어나지 않고 그대로 준안정한 상태로 존재하는 과냉각 현상 또는 과열 현상이 관측 될 수 있다. 일반적으로 과열은 발생하 기 어렵지만 과냉각은 일어나기 쉽고，가열 및 냉각 과정 의 측정 결과에서 상전이 온도가 다른 경우에는 냉각 시 과냉각 현상이 일어나 평형 상전이 온도보다 저온에서 핵 생성 성장이 일어나는 상전이가 진행 한 것 때문에 일어 날 수 있다. 또한 과냉각 된 준안정상이 안정상으로 상전 이하는 것은 냉각 하는 동안 일어나는 경우가 많지만，가 열시에도 발생할 수 있다는 점을 염두해 둘 필요도 있다. 즉，어떤 고온 안정상을 비교적 빠른속도로 냉각 하는 경 우 저온에서도 준안정상으로 안정적으로 존재할 수 있고 이러한 경우는 온도를상승시키면서 측정할 때 안정상으 로 상전이하기 때문에 평형 상전이 온도보다 훨씬 낮은 온도에서 일어나는 비가역 상전이로 볼 수 있으며 핵 생 성 성장 등의 속도론에 의해 많은 연구가 진행되고 있 다.⁴⁾이러한 경우 측정 결과를 살펴보면 발열 신호로 나 타나는 것이 대부분이므로，흡열 신호로 관측되는 평형 상전이와의 구별이 가능하며 고온에서 합성하여 급냉 한 세라믹스 시료의 열 분석에서는 이러한 비평 형 상전이의 가성에 대한 검토가 필요하다.

한편，초전도 상전이와 자기 상전이 등에서 자주 관측 되는 2차 상전이는 Fig. 3(b)에 나타낸 바와 같이 깁스 에 너지의 2차 미분에서 불연속이 나타나는 상전이이다. 깁 스 에너지는 상전이에서 곡률이 변화만 나타나 1차 미분 인 엔트로피 및 체적에서는 불연속이 나타나지 않으며， 열용량，열팽창률，탄성률 등의 2차 미분에서 불연속이 관측된다. 2차 상전이에서는 2상 공존 상태는 출현하지 않고 과냉각 과열 현상도 일어나지 않는다. 물론，상전이 에 따른 잠열은 아니지만 열용량이 변화하기 때문에 DTA，DSC에서 감지가 가능하다. 그러나 1차 상전이와 비교하면 상전이 엔탈피가 작은 경우가 많아 나타나는 흡 열 신호도 작게 관측되며，또한과냉각과열 현상이 일어 나지 않기 때문에 가열 하면서 측정하거나 냉각하면서 측 정하여 나온 상전이 온도 또한 일치하게 된다. 이를 이용 하여，가열 방향 및 냉각방향으로의 측정 후상전이 온도 의일치· 불일치로 1차-2차상전이의판단에사용되는 경우도 있다. 그러나 1차 상전이가 반드시 과냉각 및 과 열 현상이 나타나는 것이 아니기 때문에 판단에 주의가 필요하다.

상전이는 아니지만，유리 재료의 전이도 DTA，DSC에 서 관측 가능하다.⁵⁾ 유리 재료의 전이는 과냉각 액체 상 태를더욱냉각했을때，분자· 원자의운동이느려져분 자 배열이 동결되고 평형 상태에서 비평형 상태(유리 상 태)로 변화하는 현상이다. 반대로 온도를 올렸을 때 분자 배열과분자운동이 평형 상태로 변화하는 현상이기도 하 며，이때 열용량이 크게 변화하기 때문에 DTA 또는 DSC 로 관측이 가능하게 된다. 유리 전이는 평형 상태와 비평 형 상태 사이에서의 변화이기 때문에 유리 전이 온도 부 근에서는 다양한 완화 과정이 나타난다. 이러한 내용과 관련하여 DTA 또는 DSC와 같은 동적측정법은 측정 시 가열· 냉각속도또는열 이력등에측정결과 값이영향을 받게 된다.^6–7) 예를 들어，빠른 스캔 속도에서 측정을 한 경우에는 천천히 측정 한 경우와 비교하여 고온 측에 유 리 전이가 관찰된다. 한편，유리 전이 온도 부근에서 시료 를 어닐링하게 되면 서서히 엔탈피 완화가 발생하고，가 열하면서 측정하게 되면 저온에서 완화된 엔탈피의 회복 에 따른흡열 피크가유리판전이 역에서 관찰되는경우도 있으며，이러한 흡열 피크의 크기와 어닐링의 시간 의존 성을 분석하여 유리 전이 완화 거동을 해석 할 수도 있다.

TGA는 시료의 온도를 변화시켰을 때의 질량 변화를온 도 또는 시간의 함수로 측정하는 열 분석 기법이다. 열화 학 반응의 검출이 가표하며，온도 변화에 따른 시료의 탈 수 및 탈가스，시료 분해，시료와 분위기 가스와의 반응(산 화등)에 대한정량분석이 하다. 또한 시료에의 흡착， 증발과승화등의 시료의 상전이에 대한 정보도 확인할수 있다. Fig. 4는 물리 또는 화학적 변화가 어느 온도에서 일 어나는 가를 TGA 결과를통해 정성적으로분석할수 있음 을 보여주고 있다. 시작 온도는 무게 변화가 나타나기 전 후의 직성 둘을 연장하여 만나는 점의 온도이다.⁸⁾

측정에는 무게를 측정하는 저울과 온도를 조절하는 가 열로를 이용하며，천칭과 전기로와의 위치 등에 따라 Fig. 5에 나타낸 바와 같은 Top-loading type 수직형， Hang-down type 수직형，수평형의 3종류로 분류된다. Top-loading type 수직형은 저울 위에 시료 및 수직 전 기로를 설치하는 방법으로 저울부가 전기로에서의 영향 을크게 받지 않고，시료교환등의 조작성이 좋은장점이 있다. 수평형은 저울과 가열로가 수평으로 위치한 구조로 서 분위기 가스의 대류 등에 영향을 받지 않는 장점이 있 다. Hang-down type 수직형은 저울의 아래쪽에 가열 로와 시료가 위치하는 방식으로 가열로에서의 대류에 의 한 열 효과나 시료에서 발생하는 기체의 영향을 받기 쉽 지만，시료를 지지하는 부분이 작게 할 수 있기 때문에 부 력의 영향을 받지 않다. 또한 Top-loading type 수직형 이나 수평형의 방식은 수백 mg 정도 이하의 시료의 측정 에 한정되지만，측정 시료의 양을 늘리는 것도 용이하기 때문에 질량 변화가 작은 정밀 측정에 장점을 가지고 있 다. 모든 방식에서 측정 전에 장비 교정이 필요하며，특 히 미세한 질량 변화를 고감도로 측정하는 경우에는 a-Ál₂O3 등 저온에서 질량이 변화하지 시료를 테스트하 여 질량 변화를 미리 확인하고 부력 및 대류에 의한 영향 을 보정 할 필요가 있다.

TGA는 분위기 가스 변화에 따라 실험 결과가 크게 바 뀌기도 한다.⁹⁾ 일반적으로，일정량의 불활성 가스 기류 분위기 하에서 측정이 이루어지는 경우가 많은데，이때 반응에 관계하는 가스의 분압 반응량과 분위기 가스의 유 량에 대해서도 측정 전에 알아 둘 필요가 있다. 고정된 분 위기 가스환경에서 온도만을 변화시켰을때 측정이 되지 않는 조성의 경우도 분위기 가스를 적절히 변화시켜 줌으 로써 측정이 가능한 경우도 많다. 또한 가스 변경 순간에 가스 압력의 변동으로 시료가 떨리는 문제가 발생하는 경 우가 많으며，시료가 반응열과 발생 기체의 확산에 영향 을 받지 않고 재현성이 좋은 결과를 얻기 위해서는 가능 한 분위기 가스의 유속을 낮추거나 필요한 최소량으로 측 정하는 것이 바람직하다. 종래에는 시료의 온도를 일정 속도로 변화시켜 그 때의 질량 변화를측정하는 방법이 일 반적이었지만，최근에는 속도 제어 열 중량 측정법 (Controlled Rate Thermal Analysis： CRTG)도 널리 사 용되고 있다. 속도 제어 열중량 측정 방식은 가열에 의해 어떤 화학 반응이 일어나 질량 변화가 시작되면，그 속도 가 일정하게 유지되도록온도 변화속도를동적으로 변화 시켜 측정을 진행하게 되며，이 방법을 이용하여 측정할 경우 겹쳐 보이던 다단계 반응을 분리하여 관찰하는 것이 가능하게 되고，반응 메커니즘을 밝혀내기 위한 유용한 정보를 얻을 수 있는 등의 유리한 점도 많다. 한편，열분 해 과정 등을 자세히 알아 보려면 열분해에서 발생한 기 체의 종류를 분석하는 것이 효과적이며，따라서 TGA의 후방에 질량 분석법 및 적외선 흡수법으로 분석하는 발생 가스 분석 장치를 조합하여 사용하는 경우도 많다. 또한 발생 가스의 열 분석으로 TDS (Thermal Desorption Spectrometry)와 같이 시료를 진공 상태에서 가열하면 서 발생하는 기체를 질량 분석하는 방법도 있다.

실온에서 일반적인 고체 재료의 선팽창계수의 크기는 Table 2에 나타난 바와 같이 10⁻⁷∼10⁻⁴/K으로 알려져 있 다.^10–11)이러한 재료의 열팽창 특성은 온도 변화에 따라 이종 재료 사이에 발생하는 열 응력이나 재료 내부의 온 도 분포 및 온도 구배에 의한 열 변형 등에 관계하며，재 료 제조，일렉트로닉스，우주 항공，에너지 등 다양한 산 업 분야에서 재료 품질 관리 장비 개발에 있어서의 재료 선정 및 구조 설계，온도 변화에 대한 시뮬레이션에 의한 성능 예측 평가를 위한 필수적인 특성치로 자리 매김하고 있다. 또한 초전도 응용이나 각종 액화 가스 저장 등의 냉 동냉각 기술등이 관계하는저온 영역에서 내연 기관，터 빈，원자력 응용 등 관련 고온 영역까지 매우 넓은 온도 범위에서 열팽창측정 기술의 개발이 이루어왔다. 일반적 으로 팽창계수의 측정에 있어서 시험편의 치수 변화는 최 대 卿 정도이기 때문에 시험편의 치수 변화의 검출에 높 은 분해능이 요구된다. 그러나 미세한 치수 변화의 정밀 측정에 불리한 온도가 변화하는 환경에서 측정을 진행해 야 한다는 기술적인 어려움도 가지고 있다.

재료의 열팽창 특성의 측정 방법으로는 일반적으로 Dilatometer나 TMA가 이용된다.^12–13) 이 장치는 고온 전 기로 등의 온도 설정 제어부의 시험편의 치수 변화를 실 온에 둔 게이지 또는 트랜스 등의 변위 검출기로 검출하 는 방식이며，zero에 가까운하중에서부터 수 newton의 하중을 가하여 시료의 팽창과수축을측정한다. 일반적인 열팽창 측정 장치는 시료 위에 놓는 석영이나 열팽창이 작은 물질로 된 막대(probe)는 시료가 변형하지 않은 정 도의 일정한 응력만을 부하하는 기능으로 한정되어 있지 만 특히 TMA와 같은 열팽창 분석 장치의 경우，분석 장 치에서 임의의 압축 응력과 인장 응력을 모두 지정할 수 있기 때문에 섬유질과 테이프 모양의 시료 자체로 세을 수 없는 재료에 대해서도 인장 응력 부하 상태에서의 열 팽창 특성의 측정이 가능하다. 보통 측정 온도 범위는 1200°C까지도 가능하며 시편 윗면에 석영이나 열팽창계 수가 작은 물질로 된 막대를 올려놓아，열팽창/수축에 따 른 움직임을 LVDT(Linear Variable Differential Transformer) 센서로 측정하게 된다. Fig. 6은 열 기계 분석 장치의 구성을 나타내며 구조적 2개의 막대를 가지 는장치(a)와 1개만 있는장치(비가 일반적이다.¹⁴⁾ 막대가 2개인 장치는 열팽창계수가 다른 재료들을 동시에 가열 하여 그 차이를 측정하며，재료의 열팽창계수는 기준 시 료(borosilicate，석영 유리，텅스텐，스테인레스강등)에 측정치를 더한 값으로 구한다. 이 방법은 특히 열팽창계 수가 작거나 고온에서의 측정에 적합하다. 열팽창계수가 큰 재료는 기준 시료 없이 그대로 측정할 수 있으며，연화 점을 가진 재료나 인장하중을 가할 경우 적합한 끝부분을 가진 막대를 사용한다. 또한，일정한 하중을 가한 상태에 서 온도변화에 따른 기계적 특성을 측정하거나 일정한온 도에서 하중을 변화시켜 가면서 재료의 변형을 측정할 수 도 있다.¹⁵⁾

세라믹 연구에서는 열용량，열확산율 등의 열물성량의 측정도 중요하다.^16–17) 실온 이하의 열용량 측정 방법에는 단열형 열량계에 의한 정밀 절대값 측정이 있지만，이것 은 몇 g 정도로 비교적 많은 양의 시료가 필요하여 간편 하게 사용할 수 있는 상용 장비가 존재하지 않는 등 문제 가 있었다. 그러나 최근 시판되고 있는 완화법을 이용하 는 비열 측정 장치는 10mg 정도의 시료를 이용하여 극저 온에서 100°C 정도까지의 열용량을 정밀도 1% 이상으로 자동 측정 할수 있도록 되어있다. 이러한장치는 비교적 간편하게 측정이 가능하며，초전도상전이와자기 상전이 등의 상전이 연구에 유용하다. 또한 실내 온도 이상에서 의 열용량 측정은 DSC를 사용할 수도 있다. DSC의 열용 량 측정은 시료와 참조 물질의 열용량 차이에서 생기며， 기준의 차이에 따라 이루어지기 때문에 시료의 열용량을 계산하려면 시료 외에 빈 시료 용기 및 열용량이 알려진 표준 시료의 측정이 필요하다. 열용량의 산출 방법에는 연속적인온도상승에 따른 열용량 변화를 연속적으로구 하는 방법이나온도를 계단으로 변화시켜 기준 차이의 면 적 대비 각 단계에서의 열용량 값을 계산하는 엔탈피 법 이 있다. 또한 정확도는 그리 높지 않지만 열확산율 측정 에 사용되는 레이저 플래시 법을 이용하여 열용량을 측정 할 수도 있다. 대량의 세라믹 재료의 열 확산율은 레이저 플래시 법이 자주 사용되며，레이저 플래시 법은 직경 10 mm정도의 원반형 시료의 한쪽 면을 레이저로 조사하여 순간 가열시키고 반대면 시료의 온도 상승 지연 값을 이 용하여 열확산율을 구하는 방법이다. 다만，시료의 열확 산율은 측정 시료의 두께에 따라서도 달라질 수 있는 것 을 염두 해 두어야 할 것이다.